Nippon Electric Glass Co, Ltd (본사 : Otsu City, Shiga Prefcture; President : Kishimoto Akira)는 차세대 메모리 유리 얇은 영화에 대한 연구 결과를 발표 할 예정이며, 공학 대학의 대학원과 협력하여 Tohoku University의 협력에서 발전하고 있습니다 반도체 재료, "유럽 상 변화 및 난소 심포지엄 (EPCOS 2025)", 9 월 23 일 화요일부터 2025 년 9 월 26 일 금요일까지 개최됩니다
AI 및 데이터 센터 필드에서는 대규모 데이터 처리를 수용하려면 대량 및 고속의 차세대 메모리가 필수적입니다 동시에, 전기 소비의 갑작스런 증가를 억제하기위한 에너지 절약도 주요 과제입니다 이 발표는 이러한 사회적 문제를 해결할 수있는 기술로서 큰 잠재력을 보여줍니다

현대 사회에서 AI 및 IoT의 확산으로 인해 매일 막대한 양의 데이터가 생성되고 PC 및 스마트 폰 및 데이터 센터와 같은 장치에서 처리 전력을 향상시키고 전력 소비를 줄이는 것은 어려운 일 이며이 문제를 해결하는 "차세대 메모리"에 대한 기대가 커지고 있습니다
차세대 슬롯 나라는 용량 증가에 적합한 구조를 가지고 있으며, 슬롯 나라 셀이 박막 저장 요소 층으로 구성된 슬롯 나라 셀과 3 차원 격자 모양으로 배열 된 스위칭 요소 층을 갖는다 이 구조에서 스위치 요소 레이어가 없으면 전류는 잘못된 경로를 통해 흐르면 오작동 및 성능 저하가 발생합니다 스위칭 요소 층은 전류가 잘못된 경로에서 흐르는 것을 방지하고 필요한 셀 만 작동하도록하는 데 중요한 역할을합니다
We와 Tohoku University는이 스위치 요소 레이어에 적합한 자체 유리 재료를 개발했습니다 이 프레젠테이션에서, 우리는이 유리 재료를 사용하여 만든 박막이 스위칭 요소 층으로서 우수한 특성을 가지고 있다고보고합니다

・ 높은 선택성 :켜기와 오프 사이의 저항 차이는 크며 불필요한 전류를 차단합니다 이것은 큰 슬롯 나라의 안정적인 작동을 허용합니다
・ 저전력 소비 :저전압에서 작동하여 슬롯 나라 장치의 에너지 절약에 기여할 수 있습니다
・ 안전 및 환경 친화적 :우리는 이전에 재료에 포함 된 비소를 제거했으며 사람과 환경에서 온화한 재료 설계를 달성했습니다

이벤트 이름 : 유럽 단계 변화 및 난소 심포지엄 (EPCOS 2025)
이벤트 날짜 : 9 월 23 일 화요일 - 2025 년 9 월 26 일 금요일 *프랑스의 현지 시간
장소 : Aix-Marseille Université
게시 날짜 및 시간 : 2025 년 9 월 25 일 목요일, 2025 년 9 월 25 일 목요일, 16 : 45-17 : 00 *프랑스의 현지 시간
발표 제목 : 선택기를위한 고지성 GE-TEE 기반 난소 임계 값 스위칭 자료
EPCOS 2025 공식 웹 사이트 :https : //epcos2025fr/

이 발견을 요약 한 논문은 2025 년 7 월 1 일 영국의 Nature Research에서 발행 한 Scientific Journal Scientific Reports (온라인)에 발표되었습니다 출시 이후 1,000 개가 넘는 방문을 기록했으며 전 세계 연구원들로부터 높은 관심을 끌었습니다

기사 : 누출 전류 감소가 감소한 비소가없는 GE-TEE 기반 OVONIC 임계 값 스위칭 재료

《이 문제에 관한 문의》
일반 사무국 홍보 담당관 전화 : 077-537-1702 (다이얼 인)