유럽 단계 변화 및 난소 심포지엄 (EPCOS 2025)에서의 프레젠테이션-AI 중심 사회에 기여하는 슬롯 커뮤니티 기억을위한 글라스 박막

Nippon Electric Glass Co, Ltd (본사 : 일본 시가 오츠, 오우사; 대통령 : Akira Kishimoto;“Neg”) 및 Tohoku University 대학원 대학원 대학원 대학원 대학원은 Epcos 2025에서 Semiconsituce에 대한 슬롯 커뮤니티 메모리에 대한 유리 영화에 대한 공동 연구 결과를 발표 할 예정입니다 9 월 23 일부터 9 월 23 일부터 9 월 26 일까지 (Fri), 2025 년 프랑스
AI 및 데이터 센터의 경우, 큰 능력과 고속의 슬롯 커뮤니티 메모리는 계속 증가하는 데이터를 처리하는 데 필수적입니다 또한 에너지 효율을 향상시키는 것은 중요한 과제가되었습니다 우리의 결과는 이러한 문제를 해결할 수있는 큰 잠재력을 보여줍니다

AI 및 IoT의 빠른 스프레드는 매일 향상된 양의 데이터를 생성하여 PC 및 스마트 폰과 같은 장치의 고위급 성능에 대한 수요를 증가시킵니다 또한 전력 소비를 줄이는 것은 데이터 센터의 긴급한 과제가되었습니다 이러한 문제를 해결하기 위해 슬롯 커뮤니티 추억은 관심을 끌고 있습니다
슬롯 커뮤니티 메모리는 일반적으로 대용량을 달성하는 데 적합한 3 차원 크로스 포인트 구조를 사용합니다 각 메모리 셀은 메모리 레이어 및 스위치 레이어 (선택기)로 구성되며, 두께는 나노 미터 순서입니다 적절한 선택기가 없으면 몰래 전류라고하는 의도하지 않은 경로를 통한 전류는 오작동 또는 성능 저하를 유발할 수 있습니다 선택기는 몰래 전류를 차단하고 안정적인 작동을 가능하게하는 필수 요소입니다
Tohoku University와의 협력을 통해 우리는 선택기 계층에 사용하기 위해 최적화 된 독점 유리 재료를 개발했습니다 이 연구에서 우리는 선택기 층으로 사용될 때이 물질로 만든 박막의 뛰어난 특성을보고합니다

• 우수한 선택성 : 큰 온/오프 전류 비율을 나타내며 누출 전류를 효과적으로 차단하고 대용량 메모리의 안정적인 작동을 가능하게합니다
• 저전력 소비 : 저전압에서 임계 값 스위칭을 달성하여 메모리 장치의 에너지 효율을 향상시킵니다
• 안전 및 환경 친화 성 : 기존의 재료와 달리 새로운 구성은 더 안전하고 환경 적으로 지속 가능한 설계를 달성하여 제거합니다

•이벤트 이름: 유럽 단계 변화 및 난소 심포지엄 (EPCOS 2025)
•날짜: 9 월 23 일 (tue) ~ 26 (fri), 2025 (현지 시간, 프랑스)
•장소: Aix-Marseille Université, France
•프레젠테이션 날짜 및 시간: 9 월 25 일 (THU), 16 : 45–17 : 00 (현지 시간)
•프레젠테이션 제목: 선택기를위한 고지성 GE-TEE 기반 OVONON 임계 값 스위칭 자료
•공식 웹 사이트: https : //epcos2025fr/

자연 포트폴리오의 온라인 저널 인 Scientific Reports에 2025 년 7 월 1 일에 출판 된이 결과를 요약 한 논문은 이미 1,000 개가 넘는 조회수를 기록하여 강력한 글로벌 관심을 반영했습니다

•기사 제목: 누설 전류 감소가 감소한 비소가없는 GE-TEE 기반 OVONIC 임계 값 스위칭 재료
•URL: https : //wwwnaturecom/articles/s41598-025-01323-5